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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：DMP2006UFGQ-7

原始制造廠商：Diodes，美臺半導體

技術標準參數：MOSFET P-CH 20V PWRDI3333

產品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

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技術參數詳解：

制造商產品型號：DMP2006UFGQ-7

制造商：Diodes Incorporated

描述：MOSFET P-CH 20V PWRDI3333

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產品系列：Automotive, AEC-Q101

零件狀態：有源

FET類型：P 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：20V

25°C時電流-連續漏極(Id)：17.5A（Ta），40A（Tc）

驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.5V，4.5V

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：5.5 毫歐 @ 15A，4.5V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：200nC @ 10V

Vgs（最大值）：±10V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：7500pF @ 10V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：2.3W（Ta），41W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：PowerDI3333-8

DMP2006UFGQ-7均從Diodes代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！

Diodes

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