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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：GA10JT12-263

原始制造廠商：GeneSiC

技術標準參數：TRANS SJT 1200V 25A

產品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

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技術參數詳解：

制造商產品型號：GA10JT12-263

制造商：GeneSiC Semiconductor

描述：TRANS SJT 1200V 25A

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產品系列：-

零件狀態：有源

FET類型：-

技術：SiC（碳化硅結晶體管）

漏源電壓（Vdss）：1200V

25°C時電流-連續漏極(Id)：25A（Tc）

驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：-

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：120 毫歐 @ 10A

不同Id時Vgs(th)（最大值）：-

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：-

Vgs（最大值）：-

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1403pF @ 800V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：170W（Tc）

工作溫度：175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：-

GA10JT12-263均從GeneSiC代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！

GeneSiC

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