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圖片信息
IRF6609TR1圖片
基本技術(shù)信息:
  • 電子器件型號:IRF6609TR1
  • 原始制造廠商:IR,國際整流器
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類:單端場效應(yīng)管
  • 點(diǎn)擊此處下載IRF6609TR1的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術(shù)參數(shù)詳解:
  • 制造商產(chǎn)品型號:IRF6609TR1
  • 制造廠家名稱:IR(International Rectifier)已被英飛凌INFINEON收購
  • 描述:MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
  • 系列:HEXFET
  • FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能:邏輯電平門
  • 漏源極電壓 (Vdss):20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):31A(Ta),150A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):2 毫歐 @ 31A,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.45V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):69nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):6290pF @ 10V
  • 功率 - 最大值:1.8W
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 產(chǎn)品封裝:DirectFET 等容 MT
  • 供應(yīng)商器件封裝:DIRECTFET MT
  • IRF6609TR1均從IR代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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