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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：IRF8915TR

原始制造廠商：IR，國際整流器

技術標準參數：MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC

產品應用分類：場效應管陣列

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技術參數詳解：

制造商產品型號：IRF8915TR

制造廠家名稱：IR（International Rectifier）已被英飛凌INFINEON收購

描述：MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC

系列：HEXFET

FET 類型：2 個 N 溝道（雙）

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：20V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：8.9A

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：18.3 毫歐 @ 8.9A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：7.4nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：540pF @ 10V

功率 - 最大值：2W

安裝類型：表面貼裝

產品封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商器件封裝：8-SO

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