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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：IS61WV5128EDBLL-10BLI-TR

原始制造廠商：ISSI

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA

產(chǎn)品應(yīng)用分類：存儲器

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：IS61WV5128EDBLL-10BLI-TR

制造商：ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA

產(chǎn)品系列：存儲器

包裝：卷帶（TR）

系列：-

零件狀態(tài)：有源

存儲器類型：易失

存儲器格式：SRAM

技術(shù)：SRAM - 異步

存儲容量：4Mb（512K x 8）

存儲器接口：并聯(lián)

時鐘頻率：-

寫周期時間-字，頁：10ns

訪問時間：10ns

電壓-供電：2.4V ~ 3.6V

工作溫度：-40°C ~ 85°C（TA）

安裝類型：表面貼裝型

產(chǎn)品封裝：36-TFBGA

IS61WV5128EDBLL-10BLI-TR均從ISSI代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

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