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圖片信息
BSC196N10NS G圖片
基本技術(shù)信息:
  • 電子器件型號:BSC196N10NS G
  • 原始制造廠商:Infineon,英飛凌
  • 技術(shù)標準參數(shù):MOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類:單端場效應(yīng)管
  • 點擊此處下載BSC196N10NS G的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術(shù)參數(shù)詳解:
  • Infineon英飛凌公司完整型號:BSC196N10NS G
  • 制造廠家名稱:Infineon Technologies
  • 描述:MOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8
  • 系列:OptiMOS?
  • FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能:標準
  • 漏源極電壓 (Vdss):100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):8.5A(Ta),45A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):19.6 毫歐 @ 45A,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 42μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):34nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):2300pF @ 50V
  • 功率 - 最大值:78W
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 封裝/外殼:8-PowerTDFN
  • 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8
  • BSC196N10NS G均從Infineon代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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