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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：IPB80N06S4L07ATMA1

原始制造廠商：Infineon，英飛凌

技術標準參數：MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

產品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

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技術參數詳解：

制造商產品型號：IPB80N06S4L07ATMA1

制造商：Infineon Technologies

描述：MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產品系列：OptiMOS?

零件狀態(tài)：停產

FET類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：60V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：80A（Tc）

驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：6.4 毫歐 @ 80A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 40μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：75nC @ 10V

Vgs（最大值）：±16V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：5680pF @ 25V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：79W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：PG-TO263-3-2

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