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圖片信息
APTM10DHM09T3G圖片
基本技術信息:
  • 電子器件型號:APTM10DHM09T3G
  • 原始制造廠商:Microsemi,美高森美
  • 技術標準參數(shù):MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3
  • 產(chǎn)品應用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
  • 點擊此處下載APTM10DHM09T3G的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術參數(shù)詳解:
  • 制造商產(chǎn)品型號:APTM10DHM09T3G
  • 制造商:Microsemi Corporation
  • 描述:MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
  • 產(chǎn)品系列:POWER MOS V?
  • 零件狀態(tài):停產(chǎn)
  • FET類型:2 N 溝道(雙)非對稱型
  • FET功能:標準
  • 漏源電壓(Vdss):100V
  • 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):139A
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):10 毫歐 @ 69.5A,10V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):4V @ 2.5mA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):350nC @ 10V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):9875pF @ 25V
  • 功率-最大值:390W
  • 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:底座安裝
  • 封裝:SP3
  • APTM10DHM09T3G均從Microsemi代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
  • 時刻努力成為您值得信賴的IC供應商
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