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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：APTM120A29FTG

技術標準參數：MOSFET 2N-CH 1200V 34A SP4

產品應用分類：場效應管模塊

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技術參數詳解：

Microsemi美高森美完整型號：APTM120A29FTG

制造廠家名稱：Microsemi Power Products Group

描述：MOSFET 2N-CH 1200V 34A SP4

系列：-

FET 類型：2 個 N 通道（半橋）

FET 功能：標準

漏源極電壓 (Vdss)：1200V（1.2kV）

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：34A

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：348 毫歐 @ 17A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 5mA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：374nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：10300pF @ 25V

功率 - 最大值：780W

安裝類型：底座安裝

封裝/外殼：SP4

供應商器件封裝：SP4

APTM120A29FTG均從Microsemi代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！

Microsemi

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