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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：PHB27NQ10T,118

技術標準參數：MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK

產品應用分類：單端場效應管

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技術參數詳解：

NXP恩智浦完整型號：PHB27NQ10T,118

制造廠家名稱：NXP Semiconductors

描述：MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK

系列：TrenchMOS?

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標準

漏源極電壓 (Vdss)：100V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：28A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：50 毫歐 @ 14A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：30nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1240pF @ 25V

功率 - 最大值：107W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商器件封裝：D2PAK

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