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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：PMK35EP,518

技術標準參數：MOSFET P-CH 30V 14.9A 8-SOIC

產品應用分類：單端場效應管

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技術參數詳解：

NXP恩智浦完整型號：PMK35EP,518

制造廠家名稱：NXP Semiconductors

描述：MOSFET P-CH 30V 14.9A 8-SOIC

系列：TrenchMOS?

FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：30V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：14.9A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：19 毫歐 @ 9.2A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：42nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2100pF @ 25V

功率 - 最大值：6.9W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商器件封裝：8-SO

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