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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：BUK9Y8R7-60E,115

原始制造廠商：Nexperia，安世半導體

技術標準參數：MOSFET N-CH 60V 86A LFPAK56

產品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

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技術參數詳解：

制造商產品型號：BUK9Y8R7-60E,115

制造商：Nexperia USA Inc.

描述：MOSFET N-CH 60V 86A LFPAK56

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產品系列：Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS?

零件狀態：有源

FET類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：60V

25°C時電流-連續漏極(Id)：86A（Tc）

驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：5V，10V

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：7.5 毫歐 @ 20A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 1mA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：31nC @ 5V

Vgs（最大值）：±10V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：4570pF @ 25V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：147W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：LFPAK56，Power-SO8

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