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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：PMZ600UNEZ

原始制造廠商：Nexperia，安世半導體

技術標準參數：MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3

產品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

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技術參數詳解：

制造商產品型號：PMZ600UNEZ

制造商：Nexperia USA Inc.

描述：MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產品系列：-

零件狀態：有源

FET類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：20V

25°C時電流-連續漏極(Id)：600mA（Ta）

驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.2V，4.5V

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：620 毫歐 @ 600mA，4.5V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：950mV @ 250μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：0.7nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：±8V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：21.3pF @ 10V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：360mW（Ta），2.7W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：DFN1006-3

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