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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：FDS86267P

技術標準參數(shù)：MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SOIC

產品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

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技術參數(shù)詳解：

制造商產品型號：FDS86267P

制造商：ON Semiconductor

描述：MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SOIC

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產品系列：PowerTrench?

零件狀態(tài)：有源

FET類型：P 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：150V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：2.2A（Ta）

驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：255 毫歐 @ 2.2A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：16nC @ 10V

Vgs（最大值）：±25V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1130pF @ 75V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：1W（Ta）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：8-SOIC

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