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圖片信息
FDZ3N513ZT圖片
基本技術信息:
  • 電子器件型號:FDZ3N513ZT
  • 原始制造廠商:ON,ON安森美半導體
  • 技術標準參數:MOSFET N-CH 30V 1.1A 4WLCSP
  • 產品應用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
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  • 技術參數詳解:
  • 制造商產品型號:FDZ3N513ZT
  • 制造商:ON Semiconductor
  • 描述:MOSFET N-CH 30V 1.1A 4WLCSP
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
  • 產品系列:-
  • 零件狀態:停產
  • FET類型:N 通道
  • 技術:MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss):30V
  • 25°C時電流-連續漏極(Id):1.1A(Ta)
  • 驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):3.2V,4.5V
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):462 毫歐 @ 300mA,4.5V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):1nC @ 4.5V
  • Vgs(最大值):+5.5V,-0.3V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):85pF @ 15V
  • FET功能:肖特基二極管(體)
  • 功率耗散(最大值):1W(Ta)
  • 工作溫度:-55°C ~ 125°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 器件封裝:4-WLCSP(0.96x0.96)
  • FDZ3N513ZT均從ON代理或經過認證的可靠渠道采購,長期充足現貨,確保原裝正品!
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