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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號(hào)：FGH40T65SHD-F155

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：IGBT 650V 80A 268W TO-247

產(chǎn)品應(yīng)用分類(lèi)：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號(hào)：FGH40T65SHD-F155

制造商：ON Semiconductor

描述：IGBT 650V 80A 268W TO-247

系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

產(chǎn)品系列：-

零件狀態(tài)：有源

IGBT類(lèi)型：溝槽型場(chǎng)截止

電壓-集射極擊穿（最大值）：650V

電流-集電極(Ic)（最大值）：80A

電流-集電極脈沖(Icm)：120A

不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，40A

功率-最大值：268W

開(kāi)關(guān)能量：1.01mJ（開(kāi)），297μJ（關(guān)）

輸入類(lèi)型：標(biāo)準(zhǔn)

柵極電荷：72.2nC

25°C時(shí)Td（開(kāi)/關(guān)）值：19.2ns/65.6ns

測(cè)試條件：400V，40A，6 歐姆，15V

反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：31.8ns

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類(lèi)型：通孔

封裝：TO-247-3

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