深圳市南皇電子有限公司長期提供FQD2N60CTM-WS（品牌: ON）充足現(xiàn)貨訂購、免費樣品
技術參數(shù)詳解：
制造商產(chǎn)品型號：FQD2N60CTM-WS制造商：ON Semiconductor描述：MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個產(chǎn)品系列：QFET?零件狀態(tài)：有源FET類型：N 通道技術：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：600V25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：1.9A（Tc）驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：4.7 歐姆 @ 950mA，10V不同Id時Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：12nC @ 10VVgs（最大值）：±30V不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：235pF @ 25VFET功能：-功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），44W（Tc）工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型器件封裝：D-PakFQD2N60CTM-WS均從ON代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
