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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：NVBG040N120SC1

技術標準參數：TRANS SJT N-CH 1200V 60A D2PAK-7

產品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

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技術參數詳解：

制造商產品型號：NVBG040N120SC1

制造商：ON Semiconductor

描述：TRANS SJT N-CH 1200V 60A D2PAK-7

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產品系列：Automotive, AEC-Q101

零件狀態：有源

FET類型：N 通道

技術：SiC（碳化硅結晶體管）

漏源電壓（Vdss）：1200V

25°C時電流-連續漏極(Id)：60A（Tc）

驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：20V

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：56毫歐 @ 35A，20V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：4，3V @ 10mA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：106nC @ 20V

Vgs（最大值）：+25V，-15V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1789pF @ 800V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：357W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：D2PAK-7

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