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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：BSM600D12P3G001

原始制造廠商：ROHM，羅姆

技術標準參數：1200V, 576A, HALF BRIDGE, FULL S

產品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

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技術參數詳解：

制造商產品型號：BSM600D12P3G001

制造商：Rohm Semiconductor

描述：1200V, 576A, HALF BRIDGE, FULL S

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

產品系列：-

零件狀態：有源

FET類型：2 個 N 通道（半橋）

FET功能：碳化硅（SiC）

漏源電壓（Vdss）：1200V（1.2kV）

25°C時電流-連續漏極(Id)：600A（Tc）

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：-

不同Id時Vgs(th)（最大值）：5.6V @ 182mA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：-

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：31000pF @ 10V

功率-最大值：2450W（Tc）

工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：底座安裝

封裝：模塊

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ROHM

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