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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：RS1E320GNTB

原始制造廠商：ROHM，羅姆

技術標準參數：MOSFET N-CH 30V 32A 8HSOP

產品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

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技術參數詳解：

制造商產品型號：RS1E320GNTB

制造商：Rohm Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 30V 32A 8HSOP

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產品系列：-

零件狀態：不適用於新設計

FET類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：30V

25°C時電流-連續漏極(Id)：32A（Ta）

驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：1.9 毫歐 @ 32A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：42.8nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：2850pF @ 15V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：3W（Ta），34.6W（Tc）

工作溫度：150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：8-HSOP

RS1E320GNTB均從ROHM代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！

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