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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：SP8M8FD5TB1

原始制造廠商：ROHM，羅姆

技術標準參數：MOSFET N/P-CH 30V 8SOP

產品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

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技術參數詳解：

制造商產品型號：SP8M8FD5TB1

制造商：Rohm Semiconductor

描述：MOSFET N/P-CH 30V 8SOP

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

產品系列：-

零件狀態：停產

FET類型：N 和 P 溝道

FET功能：邏輯電平柵極，4V 驅動

漏源電壓（Vdss）：30V

25°C時電流-連續漏極(Id)：6A（Ta），4.5A（Ta）

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：30毫歐 @ 6A，10V，56毫歐 @ 4.5A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：7.2nC @ 5V，8.5nC @ 5V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：520pF @ 10V，850pF @ 10V

功率-最大值：2W（Ta）

工作溫度：150°C

安裝類型：表面貼裝型

封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）

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ROHM

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