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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：SP8M9FU6TB

原始制造廠商：ROHM，羅姆

技術標準參數：MOSFET N/P-CH 30V 9A/5A 8SOIC

產品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

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技術參數詳解：

制造商產品型號：SP8M9FU6TB

制造商：Rohm Semiconductor

描述：MOSFET N/P-CH 30V 9A/5A 8SOIC

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

產品系列：-

零件狀態：停產

FET類型：N 和 P 溝道

FET功能：邏輯電平門

漏源電壓（Vdss）：30V

25°C時電流-連續漏極(Id)：9A，5A

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：18 毫歐 @ 9A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：21nC @ 5V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1190pF @ 10V

功率-最大值：2W

工作溫度：150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）

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