深圳市南皇電子有限公司長期提供STGB30H65DFB2（品牌: ST）充足現貨訂購、免費樣品
技術參數詳解：
制造商產品型號：STGB30H65DFB2制造商：STMicroelectronics描述：TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 30系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單產品系列：HB2零件狀態：有源IGBT類型：溝槽型場截止電壓-集射極擊穿（最大值）：650V電流-集電極(Ic)（最大值）：50A電流-集電極脈沖(Icm)：90A不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，30A功率-最大值：167W開關能量：270μJ（開），310μJ（關）輸入類型：標準柵極電荷：90nC25°C時Td（開/關）值：18.4ns/71ns測試條件：400V，30A，6.8 歐姆，15V反向恢復時間(trr)：115ns工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型封裝：TO-263-4，D2Pak（3 引線 + 接片），TO-263AASTGB30H65DFB2均從ST代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
