深圳市南皇電子有限公司長期提供STGB6M65DF2（品牌: ST）充足現(xiàn)貨訂購、免費樣品
技術參數(shù)詳解：
制造商產(chǎn)品型號：STGB6M65DF2制造商：STMicroelectronics描述：IGBT TRENCH 650V 12A D2PAK系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單產(chǎn)品系列：M零件狀態(tài)：有源IGBT類型：溝槽型場截止電壓-集射極擊穿（最大值）：650V電流-集電極(Ic)（最大值）：12A電流-集電極脈沖(Icm)：24A不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，6A功率-最大值：88W開關能量：36μJ（開），200μJ（關）輸入類型：標準柵極電荷：21.2nC25°C時Td（開/關）值：15ns/90ns測試條件：400V，6A，22 歐姆，15V反向恢復時間(trr)：140ns工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263ABSTGB6M65DF2均從ST代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
