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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：STGP30H60DFB

原始制造廠商：ST，意法半導體

技術標準參數：TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB

產品應用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

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技術參數詳解：

制造商產品型號：STGP30H60DFB

制造商：STMicroelectronics

描述：TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB

系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

產品系列：-

零件狀態：有源

IGBT類型：溝槽型場截止

電壓-集射極擊穿（最大值）：600V

電流-集電極(Ic)（最大值）：60A

電流-集電極脈沖(Icm)：120A

不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，30A

功率-最大值：260W

開關能量：383μJ（開），293μJ（關）

輸入類型：標準

柵極電荷：149nC

25°C時Td（開/關）值：37ns/146ns

測試條件：400V，30A，10 歐姆，15V

反向恢復時間(trr)：53ns

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝：TO-220-3

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