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深圳市南皇電子有限公司長期提供STGW50H65DFB2-4（品牌: ST）充足現貨訂購、免費樣品

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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：STGW50H65DFB2-4

原始制造廠商：ST，意法半導體

技術標準參數：TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 5

產品應用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

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技術參數詳解：

制造商產品型號：STGW50H65DFB2-4

制造商：STMicroelectronics

描述：TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 5

系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

產品系列：HB2

零件狀態：有源

IGBT類型：溝槽型場截止

電壓-集射極擊穿（最大值）：650V

電流-集電極(Ic)（最大值）：86A

電流-集電極脈沖(Icm)：150A

不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，50A

功率-最大值：272W

開關能量：629μJ（開），478μJ（關）

輸入類型：標準

柵極電荷：151nC

25°C時Td（開/關）值：18ns/128ns

測試條件：400V，50A，12 歐姆，15V

反向恢復時間(trr)：92ns

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝：TO-247-4

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