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圖片信息
STI19NM65N圖片
基本技術(shù)信息:
  • 電子器件型號:STI19NM65N
  • 原始制造廠商:ST,意法半導(dǎo)體
  • 技術(shù)標準參數(shù):MOSFET N-CH 650V 15.5A I2PAK
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
  • 點擊此處下載STI19NM65N的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術(shù)參數(shù)詳解:
  • 制造商產(chǎn)品型號:STI19NM65N
  • 制造商:STMicroelectronics
  • 描述:MOSFET N-CH 650V 15.5A I2PAK
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
  • 產(chǎn)品系列:MDmesh? II
  • 零件狀態(tài):停產(chǎn)
  • FET類型:N 通道
  • 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss):650V
  • 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):15.5A(Tc)
  • 驅(qū)動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
  • 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻(最大值):270 毫歐 @ 7.75A,10V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):55nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±25V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):1900pF @ 50V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):150W(Tc)
  • 工作溫度:150°C(TJ)
  • 安裝類型:通孔
  • 器件封裝:I2PAK
  • STI19NM65N均從ST代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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