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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：KMRD60014M-B512

技術標準參數：SAMSUNG DRAM NAND

產品應用分類：多制層封裝芯片

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技術參數詳解：

三星芯片型號：KMRD60014M-B512

制造商：SAMSUNG（三星半導體）

功能類別：多制層封裝芯片

eStorage 密度：32 GB

eStorage 版本：嵌入式多媒體卡 5.1

DRAM 密度：32 Gb

DRAM 類型：三代低功耗雙倍數據率同步動態隨機存儲器

封裝：221FBGA

速率：1866 Mbps

產品狀態：批量生產

KMRD60014M-B512均從三星半導體代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！

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