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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：GT30J121(Q)

原始制造廠商：Toshiba，東芝半導體

技術標準參數：IGBT 600V 30A 170W TO3PN

產品應用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

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技術參數詳解：

制造商產品型號：GT30J121(Q)

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：IGBT 600V 30A 170W TO3PN

系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

產品系列：*

零件狀態：有源

IGBT類型：-

電壓-集射極擊穿（最大值）：600V

電流-集電極(Ic)（最大值）：30A

電流-集電極脈沖(Icm)：60A

不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.45V @ 15V，30A

功率-最大值：170W

開關能量：1mJ（開），800μJ（關）

輸入類型：標準

柵極電荷：-

25°C時Td（開/關）值：90ns/300ns

測試條件：300V，30A，24 歐姆，15V

反向恢復時間(trr)：-

工作溫度：-

安裝類型：通孔

封裝：TO-3P-3，SC-65-3

GT30J121(Q)均從Toshiba代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！

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