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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：RN2712JE(TE85L,F)

技術標準參數：TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

產品應用分類：晶體管 - 雙極（BJT）- 陣列 - 預偏置

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技術參數詳解：

制造商產品型號：RN2712JE(TE85L,F)

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

系列：晶體管 - 雙極（BJT）- 陣列 - 預偏置

零件狀態：有源

晶體管類型：2 PNP - 預偏壓（雙）（耦合發射器）

電流-集電極(Ic)（最大值）：100mA

電壓-集射極擊穿（最大值）：50V

電阻器-基極(R1)：22 千歐

電阻器-發射極(R2)：-

不同?Ic、Vce?時DC電流增益(hFE)（最小值）：120 @ 1mA，5V

不同?Ib、Ic時?Vce飽和壓降（最大值）：300mV @ 250μA，5mA

電流-集電極截止（最大值）：100nA（ICBO）

頻率-躍遷：200MHz

功率-最大值：100mW

安裝類型：表面貼裝型

封裝：SOT-553

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