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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：SSM6K211FE(TE85L,F

技術標準參數：MOSFET N-CH 20V 3.2A ES6

產品應用分類：單端場效應管

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技術參數詳解：

東芝半導體公司完整型號：SSM6K211FE(TE85L,F

制造廠家名稱：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET N-CH 20V 3.2A ES6

系列：-

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平柵極，1.5V 驅動

漏源極電壓 (Vdss)：20V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：3.2A（Ta）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：47 毫歐 @ 2A，4.5V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：10.8nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：510pF @ 10V

功率 - 最大值：500mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-563，SOT-666

供應商器件封裝：ES6（1.6x1.6）

SSM6K211FE(TE85L,F均從Toshiba代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！

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