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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：SSM6N61NU,LF

技術標準參數：MOSFET 2N-CH 20V 4A UDFN

產品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

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技術參數詳解：

制造商產品型號：SSM6N61NU,LF

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET 2N-CH 20V 4A UDFN

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

產品系列：-

零件狀態：有源

FET類型：2 N-通道（雙）

FET功能：邏輯電平柵極，1.5V 驅動

漏源電壓（Vdss）：20V

25°C時電流-連續漏極(Id)：4A

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：33 毫歐 @ 4A，4.5V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：3.6nC @ 4.5V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：410pF @ 10V

功率-最大值：2W

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：6-WDFN

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