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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：TP65H050WS

原始制造廠商：Transphorm

技術標準參數：GANFET N-CH 650V 34A TO247-3

產品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

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技術參數詳解：

制造商產品型號：TP65H050WS

制造商：Transphorm

描述：GANFET N-CH 650V 34A TO247-3

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產品系列：-

零件狀態：有源

FET類型：N 通道

技術：GaNFET（共源共柵氮化鎵 FET）

漏源電壓（Vdss）：650V

25°C時電流-連續漏極(Id)：34A（Tc）

驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：12V

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：60 毫歐 @ 22A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：4.8V @ 700μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：24nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1000pF @ 400V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：119W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：通孔

器件封裝：TO-247-3

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