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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：SI4914BDY-T1-E3

原始制造廠商：Vishay，威世

技術標準參數：MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8-SOIC

產品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

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技術參數詳解：

制造商產品型號：SI4914BDY-T1-E3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8-SOIC

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

產品系列：LITTLE FOOT?

零件狀態：停產

FET類型：2 個 N 通道（半橋）

FET功能：標準

漏源電壓（Vdss）：30V

25°C時電流-連續漏極(Id)：8.4A，8A

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：21 毫歐 @ 8A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.7V @ 250μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：10.5nC @ 4.5V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：-

功率-最大值：2.7W，3.1W

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）

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