深圳市南皇電子有限公司長期提供SIA850DJ-T1-GE3（品牌: Vishay）充足現貨訂購、免費樣品
技術參數詳解：
制造商產品型號：SIA850DJ-T1-GE3制造商：Vishay Siliconix描述：MOSFET N-CH 190V 950MA PPAK系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個產品系列：LITTLE FOOT?零件狀態：停產FET類型：N 通道技術：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：190V25°C時電流-連續漏極(Id)：950mA（Tc）驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，4.5V不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：3.8 歐姆 @ 360mA，4.5V不同Id時Vgs(th)（最大值）：1.4V @ 250μA不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：4.5nC @ 10VVgs（最大值）：±16V不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：90pF @ 100VFET功能：肖特基二極管（隔離式）功率耗散（最大值）：1.9W（Ta），7W（Tc）工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型器件封裝：PowerPAK? SC-70-6 雙SIA850DJ-T1-GE3均從Vishay代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
