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SQM120P06-07L_GE3 - 南皇電子長期提供競爭力的價格、訂貨及技術(shù)支持，Vishay代理穩(wěn)定貨源。

圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：SQM120P06-07L_GE3

原始制造廠商：Vishay，威世

技術(shù)標準參數(shù)：MOSFET P-CH 60V 120A TO263

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：SQM120P06-07L_GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET P-CH 60V 120A TO263

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產(chǎn)品系列：TrenchFET?

零件狀態(tài)：有源

FET類型：P 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：60V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：120A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：6.7 毫歐 @ 30A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：270nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：14280pF @ 25V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：375W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：TO-263（D2Pak）

SQM120P06-07L_GE3均從Vishay代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

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