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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：WNSC10650T6J

技術標準參數：SILICON CARBIDE POWER DIODE

產品應用分類：二極管 - 整流器 - 單

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技術參數詳解：

制造商產品型號：WNSC10650T6J

制造商：WeEn Semiconductors

描述：SILICON CARBIDE POWER DIODE

系列：二極管 - 整流器 - 單

產品系列：-

零件狀態：有源

二極管類型：碳化硅肖特基

電壓-DC反向(Vr)（最大值）：650V

電流-平均整流(Io)：10A

不同If時電壓-正向(Vf)：1.7V @ 10A

速度：無恢復時間 > 500mA（Io）

反向恢復時間(trr)：0ns

不同Vr時電流-反向泄漏：60μA @ 650V

不同?Vr、F時電容：328pF @ 1V，1MHz

安裝類型：表面貼裝型

封裝：4-VDFN

供應商器件封裝：5-DFN（8x8）

WNSC10650T6J均從WeEn代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！

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