ISSI公司推出IS34ML/MW 單層單元 (SLC) NAND 閃存
ISSI 的閃存器件非常適合需要高可靠性的性能導向應用。
ISSI 的 IS34ML/MW SLC NAND 閃存的圖片ISSI 的 IS34ML 和 IS34MW 系列 NAND 產品為嵌入式市場補充了串行和并行 NOR 產品。ML (3.0 V) 系列和 MW (1.8 V) 系列 SLC NAND 器件的密度分別為 1 Gb、2 Gb 和 4 Gb。
SLC NAND 閃存器件非常適合需要高可靠性的性能導向應用。SLC 每個存儲單元存儲 1 位數據，并提供快速讀寫功能。這些產品適用于要求 1 位或 4 位 ECC 算法的系統，并提供 100 K 周期的耐久性和 10 年的保留期。
特性
供電電壓：
VCC: 2.7 V 至 3.6 V（IS34ML 系列）
VCC: 1.7 V 至 1.95 V（IS34MW 系列）
靈活的 x8 或 x16 選擇
均勻的高性價比塊
塊擦除時間：3 ms（典型值）
自動讀操作
硬件數據保護
100 K 編程/擦除周期
數據保持時間：10 年
支持每 512 字節 1 位或 4 位 ECC
工業溫度范圍：-40°C 至 +85°C
擴展溫度范圍：-40°C 至 105°C
行業標準封裝：48 引腳 TSOP 和 63 引腳 (9 mm x 11 mm BGA)
應用
汽車信息娛樂
儀表組
ADAS
工業儀表
工業傳感器
M2M
POS 終端
智能計量
游戲機
打印機
數碼相機
數字電視
機頂盒
更多IC電子元器件制造商行業動態（2025年4月25日更新）
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