安世半導體發布業內首款專門針對USB4TM標準開發的ESD保護器件
Nexperia, 分立器件、MOSFET器件及模擬和邏輯器件領域的生產專家，今日宣布推出PESD2V8R1BSF，這是業內首款專門針對USB4TM標準開發的ESD保護器件，具有行業領先的RF性能。新款器件采用Nexperia的TrEOS ESD技術與有源可控硅（SCR）技術，USB4TM和Thunderbolt接口設計工程師將會特別感興趣。該器件可實現極低電容（低至0.1 pF）；極低鉗位電壓 動態電阻低至0.1 Ω）以及非常穩健的防浪涌與ESD性能（，最高可達20A 8/20 μs）。PESD2V8R1BSF采用超低電感SOD962封裝。
Nexperia產品經理Stefan Seider評論道：“為避免信號完整性問題，PESD2V8R1BSF ESD保護二極管提供極低的插入損耗和相應的低回波損耗，在10 GHz時分別為-0.21 dB和-17.4 dB。該ESD保護器件可滿足USB 3.2的較高電壓要求。這意味著，該器件可放置在USB Type-C®連接器后面，用于保護耦合電容，同時仍與USB3.2向后兼容。”
TrEOS保護二極管采用非常緊湊、非常可靠的DSN0603-2 (SOD962)封裝。這種廣泛使用的0603外形尺寸能夠帶來諸多優勢，包括電感極低，可提供快速保護，并且可集成到單片電路中，無需焊線，從而減少了機械應力和熱應力。
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更多IC電子元器件制造商行業動態（2025年3月12日更新）
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